ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Влияние степени окисленности поверхности из "Электрохимия алмаза" В первых исследованиях степень окисленности поверхности не контролировалась должным образом, но в последние годы этому уделяется большое внимание, тем более что, как будет показано ниже, окисление поверхности изменяет кинетические (разделы 6.2 и 6.4.4) и фотоэлектрохимические (глава 7) свойства алмазного электрода, сильно влияет на избирательность электродных реакций и т. п. [c.34] Количество кислорода на поверхности определяли методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии окисление (восстановление) алмаза проводили обработкой в кислородной (водородной) плазме или же непосредственно в растворе индифферентного электролита — с помощью анодной (катодной) поляризации. В работе [117] получены следующие количественные данные, которые могут служить для ориентировки. Атомное отношение О/С на поверхности свежеосажденного алмаза, покрытого, как уже упоминалось, монослоем водорода (hydrogen-terminated), невелико 0,032. После обработки в водородной плазме (3 час) оно еще ниже 0,017. Обработка в кислородной плазме (1 час) увеличивает его до 0,15. Электрохимические обработки меняют это отношение в более узких пределах после катодной поляризации (при -1,7 В) оно составляет 0,40, после анодной (при +2,5 В) — 0,10. Согласно [118], введенный на поверхность алмаза кислород не удаляется полностью при катодной поляризации. [c.34] Предполагается, что на поверхности свежеосажденного алмаза присутствуют углеводородные группы, а на поверхности окисленного алмаза — эфирные С—О—С или карбонильные С=0. Последние могут быть использованы для модифицирования поверхности алмаза органическими соединениями (например, динитрофенил гидразином, ароматическими соединениями и др.), что изменяет реакционную способность алмазного электрода [119, 120] (см. раздел 6.2). [c.35] Согласно [121], влияние окисления — плазменного или анодного — на поверхностные и электрохимические свойства алмаза связано не только с изменением поверхностного диполя в адсорбционном слое кислорода на поверхности, но и с частичным удалением подповерхностного водорода, который в объеме алмаза способен образовывать комплексы с бором и в результате этого пассивировать бор как акцептор (см., например, [122]). [c.35] Частотная зависимость емкости, которая вытекает из годографов типа изображенного на рис. 14, естественно, приводит к тому, что наклон прямой на графике Мотга—Шотгки также зависит от частоты (рис. 17) [125]. Вытекающие отсюда осложнения при расчете концентрации акцепторов мы подробнее рассмотрим в разделе 5.5. [c.36] Вернуться к основной статье