ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Влияние геометрии кристалла на термоупругие напряжения в профилированных кристаллах из "Получение профилированных монокристаллов и изделий способом Степанова" Здесь То — температура плавления Ъ, I — ширина и длина пластины Я — радиус цилиндра дф — эффективный коэффициент черноты, д — поток излучения, иадаюш,ий на кристалл из окружающей среды. Для вычисления д использовались результаты измерений температуры формообразователя и экранов. Результаты расчета сравнивались с экспериментальным распределением температуры но оси кристалла. Найденные температурные ноля подставлялись в уравнения изотропной термоупругости, которые решались численно. При этом выражения для термоупругих напряжений в средней части длинных и тонких кристаллов были получены в явном виде с помощью метода сращиваемых асимптотических разложений. [c.91] Здесь Е — модуль упругости, V — коэффициент Пуассона, а — коэффициент термического расширения. [c.91] Вычисленные компоненты тензора напряжений в каждой точке кристалла пересчитывались в касательные напряжения, действующие по всем системам скольжения. [c.91] Оказалось, что термоупругие напряжения в тонких лептах германия при одной и той же кривизне температурного поля почти на порядок превосходят напряжения в кристаллах цилиндрической формы. [c.91] Такой же результат, но в более наглядной форме можно получить из рассмотрения приближенных оценок термоупругих напряжений в длинных кристаллах [191 ]. Действительно, как это следует из уравнений (3. 7), Тпропорциональна ПК для цилиндра и 1/ для тонкой пластины. Тогда, учитывая выражения (3. 8), получим в цилиндре о , в пластине а Видно, что чем тоньше лента, тем больше уровень термоупругих напряжений (/ — толщина пластины). [c.91] Вернуться к основной статье