ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Расстояние носителей и ионный аспект из "Физическая химия полупроводников" Другие значения были затем рассчитаны Гайссин-ским [129] при помощи тех же термохимических методов. [c.143] Формулы электроотрицательности были также предложены Горди [131 132], который Исходил из константы постоянной склы притяжения атомов /М и X и из их длины связи = а(х х 1. / 2) 4 + Ь, числа валентных электронов Г1 и ковалентного радиуса г, рассчитанного по данным двухатомных молекул (одновалентный радиус) л = 0,31 (т) - - 1)/г + 0,50. [c.144] Другими авторами был предложен еще ряд формул. Все значения х, полученные исходя из различньгх значений, примерно совпадают, как это показывает превосходный критический анализ Притчарда и Скиннера [133], приведенный а табл. 24. [c.144] Через полгода аналогичная работа была проделана Горди и Тома [134]. Перечень воз.можных значений, к которым они в конце концов приходят, независимо от предыдущих авторов весьма похож на ранние перечни, 1Н0 более полон (рис. 75). [c.144] Хенней и Смит [135], проведя измерение диполя НР, показали неправильность этой формулы, а Робинзон [136] подверг критике сам принцип соответствия между дипольным моментом и ионностью. [c.144] ЧТО электроотрицательность составляющих атомов не единственно влияющий фактор. Поэтому многие авторы ввели сум му атомных порядковых номеров или общее число электронов (2 + 2 ), влияние которых может быть связано с явлением поляризации (см. гл. VII). [c.147] Результаты ясно показывают, что упрощенная таблица дает правильный порядок величины и что если хотят еще большей точности, то, как позволяет пред-ввдеть рнс. 76, надо построить таблицу, весьма отличную от таблицы Полинга. [c.149] Первое уравнение применяется к двухэлектронным связям, где не возникает явление резонанса, в то время как второе, наоборот, применяется к одноэлектронным связям, в которых это явление возникает. [c.152] Для сравнения также приведены значения величин, полученных по формулам Пирсона (в структуре цинковой обманки) н Бьюба. Во всяком случае для этой последней взято значение постоянной С, в два раза меньше того, которое характеризует одноэлектронные связи для сохранения приемлемого согласования. Тройные, четверные и другие соединения не принимались во внимание. Значения атомных радиусов подверглись значительному уменьшению. Теоретическое использование этих величин очень затруднено отсутствием экспериментальных значений энергий активации. [c.156] Ранее (см. гл. II, 3) уже было дано определение подвижности заряженной частицы, если рассматривать ее как скорость еа единицу приложенного поля, и указано, что электропроводность кристалла пропорциональна концентрации активных точечных дефектов и подвижности нх основных носителей заряда. В то время как границы изменения концентрации дефектов довольно широки, значения электронных подвижностей располагаются в интервале от 10 и до 100 000 см [в-сек и важно их знать для того, чтобы предвидеть поведение данного соединения. Подвижность носителей может быть понижена их взаимодействием с компонентами кристалла вследствие рассеяния (s attering) частиц ( 8], стр. 255). Различают виды рассеяния полярное рассеяние, связанное в ионных кристаллах с тепловыми колебаниями заряженных ионов и периодическими колебаниями, вызванными силами притяжения или отталкивания, которым подвержена частица неполярное рассеяние, вызванное в ковалентных кристаллах тепловыми колебаниями атомов и периодическими колебаниями, зависящими от отношения потенциалов данной точки к потенциалу идеального кристалла. Кроме того, активные центры (вакансии, междоузлия, примеси) вызывают третий важный вид дисперсии рассеяние за счет дефектов. [c.157] мы видим, что возможна связь между значением максимальной подвижности кристалла (для идеального кристалла) и значением его ионного аспекта. Именно это пытался доказать Гудмэн [144], взяв параметром ионный вклад г в энергию активации или еще точнее величину dP-E- рассматриваемую как величину диполя кристалла, где йЕч) представляет собой эффективный заряд (рис. 78). Таким образом, находят, что значение под вижности проходит через максимум для InSb в структуре цинковой обманки. Но можно впасть в заблуждение (как это будет видно далее), считая, что наличие повышенной подвижности связано со слабым ионным характером связи. [c.158] Вернуться к основной статье