ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Свойства монокристаллов из "Карбиды вольфрама" Аналогично ноликрнсталлнческому С монокри-сталлическин карбид вольфрама имеет простую гексагональную решетку с двумя атомами на каждую единицу ячейки вольфрам занимает положения О, О, О, и углерод — 1/3, 2/3, 1/2. [c.102] Результаты определения параметров кристаллической решетки монокристаллов С [114] показывают, что они практически не зависят от содержания углерода в монокристалле. [c.102] Проводя электрохимическое травление монокристалла W в 10%-ном растворе К2СО3, автор работы [114] обнаружил, что призматические плоскости склонны к образованию лунок травления, как и базисные плоскости. При этом па базисной плоскости лунки травления расположены в трех направлениях, которые или образуют между собой угол 60°, или параллельны к внешней грани. На призматической плоскости лунки травления располагаются только параллельно базисной плоскости. При большем увеличении установлено различие свойств симметрии обеих плоскостей по формам лунок травления на базисной плоскости образуются лунки треугольной формы, на призматической — продолговатой. [c.103] Металлографическое исследование [114] нетравленных шлифов монокристалла W показало присутствие наряду с основной фазой (W ) включений другой фазы, располагающейся на основании базисной плоскости. Согласно результатам рентгенофазового анализа, эти включения являются металлическим кобальтом и его присутствие обусловлено технологией получения монокристаллов (выращиванием из кобальтового расплава). Установлено, что растворимость кобальта в W ничтожна и составляет менее 0,05 вес.% в интервале температур 1600—1800° С. [c.103] Исследованию физико-технических свойств монокристаллов карбида вольфрама посвящено сравнительно небольшое количество работ [114, 342—348]. При этом, аналогично поликристаллическим образцам W , обнаружена вполне измеримая анизотропия монокристаллов. [c.103] Оптические свойства были определены в [114]. Установлено, что оптическая отражающая способность монокристаллов УС для длины волны 6000 А обладает некоторой анизотропией — базисные плоскости отражают свет на 57,2%, а призматические — на 50,6%. [c.104] Данные (табл. 45), полученные разными авторами, существенно отличаются, что связано, очевидно, с различием в технологии получения монокристаллов и методиках измерения КТР. В то же время в [114] указывается на сохранение анизотропности образцов в щироком интервале температур. [c.104] Электросопротивление (р) и эффект Холла (/ ) при низких температурах исследовали в работе [343] на двух отшлифованных образцах размерами 1,5Х2Х8 мм различной степени чистоты. По данным химического анализа, первый образец содержал около 1% примесей (главным образом, кислорода), второй образец, выращенный нз исходных материалов более высокой чистоты, содержал около 0,05% примесей. [c.104] Удельное электросонротив,пение и эффект Холла измеряли обычными методами вдоль оси с (р., и в базисной плоскости (р , / я1). [c.104] Для кубических карбидов переходных металлов с более высокой концентрацией вакансий это отношение находится между 1 и 2 (например, для Nb o.ve оно равно ,6). По мнению авторов работы [343], в поликристаллическом материале лимитирующим фактором (для р) является рассеивание электронов проводимости на межзеренных границах. [c.105] Указывается также, что исследованные монокристаллы a-W имели небольшую концентрацию вакансий и были близки к стехиометрическому составу. [c.105] Результаты исследований эффекта Холла в двух направлениях для второго образца приведены в табл. 46. Установлено, что коэффициенты Холла не зависят от тока вплоть до плотности 30 aj M и имеют отрицательное значение. [c.105] В соответствии с однозонной моделью при комнатной температуре концентрация носителей тока составляет примерно 0,03 электрона проводимости на молекулу W . Понижение температуры вызывает увеличение постоянной Холла, указывая на уменьшение концентрации носителей. [c.105] В [114] микротвердость была измерена на свободно-лежащих монокристаллах a-W . Для базнснон плоскости в шести возможных нанравлениях было получено среднее значение // =2000 к1 /мм . Наряду с этим измерение микротвердости на призматической плоскости позволило получить значительное отклонение между размерами диагоналей отпечатков, проходящих параллельно и перпендикулярно базисной плоскости. Минимальное значение составляло 1300, а максимальное — 1800 кГ/л1м . Следует отметить, что, в то время как на базисной плоскости получаются отпечатки в форме квадратов даже при высоких нагрузках, на призматической плоскости отпечатки искажены и имеют трещины. Кроме того, в работе [114] наблюдалось также образование линий скольжения в кристаллографических направлениях, так как отпечатки различной формы обладают непосредственно видимой различной деформацией. [c.106] Интересные исследоваиня по измерению микротвердости монокристаллов выполнены в [346]. Сравнивались результаты измерения диагоналей отпечатков в светооптическом, электронном и растрово-электронном микроскопах. Исследованпе проводилось на кристаллах, полученных в расплаве кобальта, которые имели форму треугольной равнобедренной пластинки с длиной сторон 3—5 и толщиной 1—2 мм. В различных монокристаллах делали отпечатки микротвердости с нагрузкой на индентор 5—100 г. Отпечатки располагали так, чтобы одна из диагоналей проходила параллельно плоскости (1 О 1 0). [c.106] В табл. 48 приведены результаты измерений микротвердости монокристаллов С в плоскости (0 0 0 1) по данным различных работ. Видно, что совпаденне значений Яр, наблюдается в работах [344, 346] для нагрузок 20 и 50 г. При нагрузках на индентор 100 г величины микротвердости, полученные в разных работах, различаются, что, очевидно, связано с появлением при этом большого числа трещин вокруг отпечатков. В связи с этим оптимальной нагрузкой на нн,дентор можно считать 50 г. [c.107] Вернуться к основной статье