ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Смешанная литография из "Светочувствительные полимерные материалы " Технология сверхбольших интегральных схем с субмикронными размерами элементов не требует обязательного образования субмикронных рельефов во всех слоях интегральной схемы. Принимая во внимание малую скорость переноса изображения пучком электронов, которая ограничивает скорость всего процесса производства микросхемы, целесообразно использовать этот прием для образования рельефа в слое, где требуется создание субмикронных элементов, а для создания микрорельефов в остальных слоях применять фотолитографию. Для такой комбинации литографических приемов используется термин смешанная (гибридная) литография [68]. Комбинация может включать и рентгеновскую литографию с фотолитографией. Основной проблемой смешанной литографии является достижение качественного совмещения. Припци-пиально эта проблема может быть решена, поэтому смешанная литография является перспективным направлением развития технологии производства микроэлектронных приборов [69]. [c.44] Дозы излучения, используемые при экспонировании пучком электронов или рентгеновским излучением, достигают значений 10—500 кГр. Эти дозы поглощаются в чувствительных оксидах затвора и могут привести к его повреждению [70, 71]. По этой причине необходимо, чтобы доза экспонирования электроно- и рентгенорезистов была как можно меньшей. [c.44] Вернуться к основной статье