ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Уровни захвата, образуемые ионами неактивирующей примеси из "Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений" В дальнейшем исследованием влияния рентгеновых лучей на шелочно-галоидные фосфоры, активированные свинцом, занимались Шульман [266], Бурштейн [312], Лущик [302] и автор [313]. [c.204] Максимум длинноволновой полосы активаторного поглощения в в спектрах Na l — РЬ и КС1 —РЬ находится по нашим данным, при 273 П1[х, а дополнительная активаторная полоса, вшникающая под действием рентгеновых лучей, расположена при 254 тр. [c.204] В случае КВг—РЬ максимумы основных полос расположены при длинах волн 224 и 300 mu., а полоса дополнительного поглощения — при 276 тр.. [c.204] С увеличением продолжительности рентгенизации полосы допол-штельного поглощения усиливаются, и при этом падает поглощение в основной активаторной полосе. Возрастает также поглощение в спектральной области, простирающейся в сторону длинных волн. Это свидетельствует о том, что возникающие под действием рентгеновых лучей дополнительные полосы являются широкими и охватывают значительную спектральную область вплоть до видимой части спектра. [c.204] Сильное перекрьггие основных и дополнительных полос активаторного поглощения может в отдельных случаях, как например в случае КВг—РЬ при больших экспозициях облучения (Рис. 97, кривая ), являться причиной кажущегося усиления основных активаторных (кривая в) полос под действием рентгеновых лучей. [c.204] Кроме того, интенсивность полос дополнительного поглсщения при одинаковых условиях рентгенизации больше в тех образцах, в которых больше концентрация активатора. [c.205] Их изменение, как и в других подобных случаях, должно быть связано с захватом ионами свинца добавочных электронов и превращением двухвалентных ионов свинца в квазинейтральные либо однократно ионизованные атомы свинца. Опыты по воздействию света на рентгенизс-ванные фосфоры свидетельствуют об электронной природе указанных полос дополнительного поглощения активирующей примеси. [c.206] Атомарные центры могут быть образованы также и в щелочно-галоидных фосфорах, активированных таллием, хотя в этих фосфорах они обнаруживаются, по-видимому, значительно труднее, чем в других. Возможность образования атомарных центров в указанной группе фосфоров впервые показана в работе О. В. Фиалковской [315]. После продолжительного облучения кристалла КС1 — Т1 коротковолновым ультрафиолетовым светом в спектре поглощения обнаруживается новая полоса при 273 тц, которую Фн-алковская приписывает атомарным центрам таллия. Интенсивность полосы атомарного поглощения зависит от концентрации активатора и сильнее в спектрах тех кристаллов, в которых больше концентрация активатора. [c.206] Аналогичная полоса атомарного поглощения с максимумом около 300 тц обнаруживается также в спектре фосфора КВг — Т1. [c.206] Образование новых активаторных полос в спектрах поглощения щелочно-галоидных кристаллофосфоров при их аддитивном окрашивании впервые обнаружили и изучали М. Блау [2911 и затем А. Топорец [290]. Было показано, что в спектрах поглощения щелочно-галоидных фосфоров, окрашенных аддитивным способом в парах щелочного металла либо по методу Арцыбашева, возникают дополнительные полосы, которые упомянутые авторы приписывали атомарным и коллоидным центрам активирующей примеси. [c.207] Было установлено, что в спектрах щелочно-галоидных фосфоров, активированных серебром, после аддитивного окрашивания обнаруживаются полосы Л, А, С, К п F, которые возникают также под действием рентгеновых лучей. Одновременно резко падает поглощение в основных активаторных полосах, наблюдавшихся до аддитивного окрашивания фосфора. [c.208] Аналогичные явления наблюдаются в щелочно-галоидных фосфорах, активированных никелем. В частности, если выращенные из расплава щелочно-галоидные кристаллы с никелем, в которых, как известно, никакого свечения не обнаруживается, подвергнуть аддитивной окраске, то появляется характерная для атомарных центров оранжево-красная флуоресценция [282]. Таким образом, и в этих фосфорах атомарные центры одинаково возникают как при аддитивном окрашивании, так и под действием рентгеновых лучей вследствие захвата ионами активирующей примеси добавоч- WX электронов. [c.208] Приведенные в предыдущей главе данные об изменениях, возникающих в спектрах поглощения и люминесценции при фотохимическом и аддитивном окрашивании щелочно-галоидных фосфоров, убедительно показывают, что введенная в кристалл активирующая примесь помимо ее основной функции в создании центров свечения проявляется также в роли электронных центров захвата. Дополнительные сведения об этой второй не менее существенной роли активирующей примеси могут быть получены путем изучения термического высвечивания и спектрального распределения стимулирующего действия света на свечение кристаллофосфора. Подобные измерения, проводившиеся автором и рядом других исследователей, позволяют выяснить роль тепловых микродефектов в образовании центров захвата, а также их взаимодействие с введенной в кристалл активирующей примесью. [c.209] Романовского [317] устойчивость фотохимической окраски в таллиевых фосфорах действительно значительно меньше, чем в чистых кристаллах, и активированный кристалл обесцвечивается сравнительно быстро по сравнению с чистым. [c.210] Сравнение кривых стимулирующего действия света на свечение таллиевых фосфоров (рис. 98) с аналогичными кривыми для фотохимически окрашенных неактивированных щелочно-галоидных кристаллов (рис. 22 и 23) позволяет заключить, что F-центры в обоих случаях проявляются в качестве центров захвата и запасания световых сумм свечения. [c.210] По нашим измерениям, в спектральных кривых стимулирующего действия света на свечение активированных щелочно-галоидных фосфоров при определенных условиях опыта ( 9) проявляются также и другие центры окраски, и эти кривые по общему виду не отличаются от аналогичных кривых для чистых щелочно-галоидных кристаллов (рис. 25 и 26). [c.210] По данным Ч. Б. Лущика и И. В. Волина [318], исследовавших спектры стимуляции оптической вспышки ряда рентгенизованных щелочно-галоидных фосфоров, основной является F-полоса, Обнаруживаются также и более длинноволновые М-, N- и 0-полосы стимуляции оптической вспышки, но они в несколько десятков раз слабее, чем F-полоса. Таким образом, тепловые микродефекты, существующие в неактивированных щелочно-галоидных кристаллах проявляются также и в активированных кристаллах в качестве электронных центров захвата. [c.210] Вернуться к основной статье