ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Отраженные электроны из "Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ том 1" С ПОМОЩЬЮ выражения (3.13) вероятность дает, что в среднем электрон с энергией 20 кэВ испытывает 3,4 акта рассеяния на угол З или более и лищь один электрон из 430 испытывает рассеяние на угол 90 или более. [c.46] Отраженные электроны создают чрезвычайно полезный сигнал для получения изображения в растровой электронной микроскопии [29]. [c.46] Для правильной интерпретации изображения необходимо понимать свойства отраженных электронов в зависимости от параметров электронного пучка и свойств образца (подробный обзор по отраженным электронам представлен в [30]). [c.46] - — весовая доля данного элемента. [c.47] По мере возрастания угла наклона 0 угловое распределение отраженных электронов изменяется и становится асимметричным относительно оси наклона. При больших углах наклона эта диаграмма очень сильно вытягивается в направлении прямого рассеяния (рис. 3.17, а), так что наибольшая часть отраженных электронов движется над поверхностью примерно под тем же самым углом, что и падающий пучок. Электроны стремятся проскочить несколько первых атомных слоев и выйти из образца после нескольких актов рассеяния. Кроме того, для сильно наклонных образцов электроны стремятся вылетать в плоскости, которая определяется вектором пучка и нормалью к поверхности (рис. 3.17, б). [c.50] Распределение по энергиям также меняется в зависимости от угла наклона образца. Уэллс показал [37], что для сильно наклоненных образцов те электроны, которые испытали наименьшие потери энергии, имеют пик распределения в направлении прямого рассеяния (рис. 3.21). [c.55] Для построения распределений, приведенных на рис. 3.22 и 3.23, учитывались все отраженные электроны независимо от энергии. Если рассматривать лишь те электроны, которые потеряли менее 10% начальной энергии, то пространственное распределение становится меньше в диаметре и имеет более выраженный центральный максимум (рис. 3.24). Этот результат можно легко понять, поскольку те электроны, которые вышли на больших расстояниях от точки падения пучка, должны обязательно проникнуть глубже в образец и испытать больше неупругих соударений. Из рис. 3.22—3.24 ясно, что если исследователь, работающий на электронном микроскопе, хочет получить информацию об участках образца вблизи области падения электронного пучка, то предпочтительнее выбирать те из отраженных электронов, у которых потери энергии не слишком велики. [c.56] Вернуться к основной статье