ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Ионоселективные полевые транзисторы из "Основы современного электрохимического анализа" С момента открытия полевых транзисторов постоянным объектом внимания исследователей стала повышенная чувствительность поверхности полупроводниковых материалов к внешним воздействиям. Оказалось, что это свойство можно использовать при создании новых типов датчиков для определения концентраций различных веществ, в том числе и ионов металлов. Представленная на рис. 6.8 схема позволяет понять, по крайней мере на качественном уровне, механизм функционирования ионоселективных полевых транзисторов (ИСПТ). Появление этого типа датчиков стало возможным благодаря достижениям в микроэлектронике. [c.218] Как было показано выше (см. раздел 1.2.2), полупроводниковой основой полевых транзисторов служит подложка из кристаллического кремния /7-типа, отделенная от металлического проводника (затвора) слоем тонкого ( 100 нм) диэлектрика (обычно БЮг). Эта конструкция усложнена двумя дополнительными кремниевыми элементами w-типа, называемыми истоком и стоком. Электрическая цепь создается за счет металлических контактов со стоком и истоком и позволяет измерять электропроводность поверхностного слоя кремниевой подложки. [c.218] Если к металлическому проводнику приложить положительный потенциал, то положительно заряженные дырки в кремнии будут смещаться от границы раздела кремний/диэлектрик и на поверхности кремниевой подложки возникнет отрицательный заряд. Пока величина приложенного напряжения меньше порогового значения U , электрический ток не протекает от стока к истоку. Если же f/з больше порогового значения, то образуется поверхностный инверсионный слой, в котором кремний / -типа превращается в кремний и-типа. Теперь ток может течь от стока к истоку, Контроль за током стока /с является основой работы полевого транзистора. [c.218] Из полимерных мембран в сочетании с ИСПТ детальнее других изучены мембраны, чувствительные к ионам калия и кальция. Описаны также ИСПТ с гетерогенными полимерными мембранами на основе солей серебра, чувствительные к хлорид-, иодид- и цианид-ионам. Хлорид-селективные мембраны изготавливают из смеси хлорида и сульфида серебра, а мембраны, чувствительные к ио-дид-ионам, из смеси иодида и сульфида серебра в полифториро-ванном фосфазине. [c.219] Вернуться к основной статье